Beschreibung
Beschreibung
Der MOCVD-Graphitsuszeptor ist eine entscheidende Komponente in MOCVD-Systemen (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition). Es dient als wärmeleitende Hochtemperaturplattform, die dazu dient, Halbleitersubstrate während des epitaktischen Wachstums dünner Filme sicher zu halten und gleichmäßig zu erwärmen.
Verpackung und Lieferung
Holzkiste-Paket
Besonderheit
- Hervorragende Wärmeleitfähigkeit für schnelle und gleichmäßige Wärmeübertragung
- Hohe mechanische Festigkeit und Dimensionsstabilität unter extremen Bedingungen
- Glatte, präzise bearbeitete Oberfläche für eine stabile Substratplatzierung
- Entwickelt, um die Gasströmungsdynamik und thermische Gradienten zu beeinflussen
Vorteil
- Gewährleistet eine gleichmäßige Filmdicke und eine hervorragende Kristallqualität in der Epi--Schicht
- Ermöglicht eine hohe Prozesswiederholbarkeit und Ausbeute durch stabile Substrattemperaturkontrolle
- Verlängert die Lebensdauer und reduziert die Partikelverschmutzung aufgrund der Korrosionsbeständigkeit
- Behält die strukturelle Integrität trotz wiederholter thermischer Zyklen bei und gewährleistet so die Prozesszuverlässigkeit
Anwendung
- Wird hauptsächlich in MOCVD-Reaktoren für das epitaktische Wachstum von Verbindungshalbleiterschichten (z. B. GaN, GaAs, InP) auf Substraten wie Silizium, Siliziumkarbid oder Saphir verwendet.
- Unverzichtbar für die Herstellung optoelektronischer Geräte (LEDs, Laserdioden) und Hochfrequenz-(RF)-Leistungshalbleiter.



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