Graphitsuszeptor

Graphite Susceptor ist eine hochpräzise Hochtemperatur--Werkzeugplattform, die in Industrieöfen eingesetzt wird. Es dient der präzisen Positionierung, Unterstützung und Formung von Werkstücken bei Prozessen wie Sintern, Heißpressen und Kristallwachstum und ermöglicht die Herstellung von Bauteilen mit definierten Geometrien unter extremer Hitze.

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Beschreibung

Der MOCVD-Graphitsuszeptor ist eine entscheidende Komponente in MOCVD-Systemen (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition). Es dient als wärmeleitende Hochtemperaturplattform, die dazu dient, Halbleitersubstrate während des epitaktischen Wachstums dünner Filme sicher zu halten und gleichmäßig zu erwärmen.

Verpackung und Lieferung

Verpackung in Holzkiste

Besonderheit

Hervorragende Wärmeleitfähigkeit für schnelle und gleichmäßige Wärmeübertragung
Hohe mechanische Festigkeit und Dimensionsstabilität unter extremen Bedingungen
Glatte, präzise bearbeitete Oberfläche für eine stabile Substratplatzierung
Entwickelt, um die Gasströmungsdynamik und thermische Gradienten zu beeinflussen

Vorteil

Gewährleistet eine gleichmäßige Filmdicke und eine hervorragende Kristallqualität in der Epi{0}}-Schicht
Ermöglicht eine hohe Prozesswiederholbarkeit und Ausbeute durch stabile Substrattemperaturkontrolle
Verlängert die Lebensdauer und reduziert die Partikelverschmutzung aufgrund der Korrosionsbeständigkeit
Behält die strukturelle Integrität trotz wiederholter thermischer Zyklen bei und gewährleistet so die Prozesssicherheit

Anwendung

Wird hauptsächlich in MOCVD-Reaktoren für das epitaktische Wachstum von Verbindungshalbleiterschichten (z. B. GaN, GaAs, InP) auf Substraten wie Silizium, Siliziumkarbid oder Saphir verwendet.
Unverzichtbar für die Herstellung optoelektronischer Geräte (LEDs, Laserdioden) und Hochfrequenz-(RF)-Leistungshalbleiter.

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