Der Carbon/Carbon-Stützstab-bestehend aus einer Schale und einem zentralen Schaft-wird durch Vorformverdichtung, Hochtemperaturbehandlung- und Präzisionsbearbeitung hergestellt. Es dient als Kernkomponente des Wärmefeldunterstützungssystems bei der Kristallzüchtung von hochreinem Silizium und ist in der Übergangszone von hoher Temperatur zu niedriger Temperatur positioniert, um die inneren und äußeren Abschnitte des Wärmefelds zu verbinden.
Besonderheit
- Hohe Festigkeit, geringe Wärmeleitfähigkeit und geringes Gewicht
- Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient
- Hervorragende Schlag- und Temperaturwechselbeständigkeit
- Einzigartige innere Faserstruktur mit gestrickten Carbonfilamenten, die die Torsionsleistung verbessern
Verpackung und Lieferung
Holzkiste-Paket
Vorteil
- Bietet mehr als die doppelte Torsionsfestigkeit von Graphitstützstäben mit demselben Durchmesser
- Trägt zur Energieeinsparung und Kostenreduzierung bei Kristallwachstumsprozessen bei
- Gewährleistet strukturelle Zuverlässigkeit bei extremen Temperaturwechseln
Anwendung
Weit verbreitet in Wachstumssystemen für monokristallines Silizium für die Halbleiter- und Photovoltaikproduktion, insbesondere in Anwendungen, die eine robuste Leistung in Übergangszonen mit hohen -niedrigen Temperaturen und unter Rotationsbelastung erfordern.
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